AP3N10BI場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET N溝道 耐壓:100V 電流:2.8A SOT-23 絲印MA4
產(chǎn)品描述：
AP3N10BI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，可提供出色的Ros(oN)、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓，適合用作電池保護(hù)或其它開關(guān)應(yīng)用。
N溝道 耐壓:100V 電流:2.8A SOT-23 絲印MA4
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AP3N10BI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，可提供出色的Ros(oN)、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓，適合用作電池保護(hù)或其它開關(guān)應(yīng)用。
N溝道 耐壓:100V 電流:2.8A SOT-23 絲印MA4
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