RM6312 副邊反饋SSR隔離開關(guān)電源芯片 AC-DC電源芯片
產(chǎn)品描述：
RM6312DA是一顆電流模式PWM控制芯片，內(nèi)置高壓功率MOSFET，用于功率在15W 以內(nèi)的方案。
RM6312DA內(nèi)置多種保護(hù)，包括逐周期限流保護(hù)（OCP），過載保護(hù)（OLP），過壓保護(hù)（OVP），VDD過壓箝位，欠壓保護(hù)（UVLO）等，采用抖頻技術(shù)更好的改善系統(tǒng)的EMI特性和開關(guān)的軟啟動(dòng)控制。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(20KHz)以上，工作時(shí)可以避免系統(tǒng) 產(chǎn)生噪音。
RM6312DA使用DIP-8無鉛封裝。
符合6級能效標(biāo)準(zhǔn)，在通用交流輸入時(shí)待機(jī)功率<75mW
內(nèi)置650V高壓功率管
4ms軟啟動(dòng)用來減少M(fèi)OSFET上Vds的應(yīng)力
抖頻功能，改善EMI性能
跳頻模式，改善輕載效率，減小待機(jī)功耗
無噪聲工作
固定65KHz開關(guān)頻率
內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償
低啟動(dòng)電流，低工作電流
內(nèi)置前沿消隱（LEB）功能
應(yīng)用領(lǐng)域
電源適配器 開放式電源 TV/機(jī)頂盒電源
副邊反饋
| 產(chǎn)品型號(hào) | 功能特點(diǎn) | 典型功率 | 功率器件 | 最大頻率 | 封裝形式 |
|---|---|---|---|---|---|
| RM6312S | 低啟動(dòng)電流，低工作電流 4ms軟啟動(dòng) 六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 7.5W/10W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6316DA | 低啟動(dòng)電流，低工作電流 4ms軟啟動(dòng) 六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 24W/30W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-7 |
| RM6534S | 滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn) 超寬的VCC工作電壓范圍 極低的啟動(dòng)電流和工作電流 | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6534SL | 滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn) 超寬的VCC工作電壓范圍 極低的啟動(dòng)電流和工作電流 | 20W/22W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6533S | 滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn) 超寬的VCC工作電壓范圍 極低的啟動(dòng)電流和工作電流 | 18W/20W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6312DA | 低啟動(dòng)電流，低工作電流 4ms軟啟動(dòng) 六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 12W/15W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-8 |
| RM6314DA | 低啟動(dòng)電流，低工作電流 4ms軟啟動(dòng) 六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 18W/24W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-8 |
| RM6000T | 低啟動(dòng)電流，低工作電流 4ms軟啟動(dòng) 六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 65W/65W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
| RM6523SL | ?壓VCC 內(nèi)置MOS | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6524SL | ?壓VCC 內(nèi)置MOS | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
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