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RM6316DA是一顆電流模式PWM控制芯片,內(nèi)置高壓功率MOSFET。RM6316DA內(nèi)置多種保護(hù),包括逐周期限流保護(hù)(OCP),過(guò)載保護(hù)(OLP),過(guò)壓保護(hù)(OVP),VDD過(guò)壓箝位,欠壓保護(hù)(UVLO)等,采用抖頻技術(shù)更好的改善系統(tǒng)的EMI特性和開關(guān)的軟啟動(dòng)控制。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(20KHz)以上,工作時(shí)可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。
RM6316DA使用DIP-7無(wú)鉛封裝。
符合6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn),在通用交流輸入時(shí)待機(jī)功率<75mW
內(nèi)置650V高壓功率管
4ms軟啟動(dòng)用來(lái)減少M(fèi)OSFET上Vds的應(yīng)力
抖頻功能,改善EMI性能
跳頻模式,改善輕載效率,減小待機(jī)功耗
無(wú)噪聲工作
固定65KHz開關(guān)頻率
內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償
低啟動(dòng)電流,低工作電流
內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能
保護(hù)功能:欠壓保護(hù)(UVLO)
過(guò)熱保護(hù)(OTP)
逐周期限流保護(hù)(OCP)
過(guò)載保護(hù)(OLP)
過(guò)壓保護(hù)(OVP)
應(yīng)用領(lǐng)域
電源適配器 開放式電源 TV/機(jī)頂盒電源 AC/DC電源適配器 充電器 輔助電源
產(chǎn)品型號(hào) | 功能特點(diǎn) | 典型功率 | 功率器件 | 最大頻率 | 封裝形式 |
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RM6312S | 低啟動(dòng)電流,低工作電流 4ms軟啟動(dòng) 六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) | 7.5W/10W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
RM6316DA | 低啟動(dòng)電流,低工作電流 4ms軟啟動(dòng) 六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) | 24W/30W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-7 |
RM6534S | 滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 超寬的VCC工作電壓范圍 極低的啟動(dòng)電流和工作電流 | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
RM6534SL | 滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 超寬的VCC工作電壓范圍 極低的啟動(dòng)電流和工作電流 | 20W/22W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
RM6533S | 滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) 超寬的VCC工作電壓范圍 極低的啟動(dòng)電流和工作電流 | 18W/20W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
RM6312DA | 低啟動(dòng)電流,低工作電流 4ms軟啟動(dòng) 六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) | 12W/15W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-8 |
RM6314DA | 低啟動(dòng)電流,低工作電流 4ms軟啟動(dòng) 六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) | 18W/24W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-8 |
RM6000T | 低啟動(dòng)電流,低工作電流 4ms軟啟動(dòng) 六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn) | 65W/65W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
RM6523SL | ?壓VCC 內(nèi)置MOS | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |
RM6524SL | ?壓VCC 內(nèi)置MOS | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-8 |